CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A 0.2-W Heterostructure Barrier Varactor Frequency Tripler at 113 GHz

Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 28 (2007), 5, p. 340-342.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present a high-power InAlAs/InGaAs/InP heterostructure barrier varactor (HBV) frequency tripler. The HBV device topology was designed for efficient thermal dissipation and high efficiency. To verify simulations, the device was flip-chip soldered onto embedding microstrip circuitry on an aluminum nitride substrate. This hybrid circuit was then mounted in a waveguide block without any movable tuners. From the resulting RF measurements, the maximum output power was 195 mW at 113 GHz, with a conversion efficiency of 15%. The measured 3-dB bandwidth was 1.5%.

Nyckelord: Frequency multiplier, heterostructure barrier varactor (HBV), high-power operation, millimeter-wave devices, semiconductor diodes, terahertz source, thermal management



Denna post skapades 2007-04-23. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 40853

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Elektronik

Chalmers infrastruktur