CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor

Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; Lars-Erik Wernersson ; Linus Fröberg ; Lars Samuelson
Electron Device Letters, IEEE Vol. 27 (2006), 5, p. 323-325.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

In this letter, the authors demonstrate a vertical wrap-gated field-effect transistor based on InAs nanowires [Proc. DRC, 2005, p. 157]. The nanowires have a diameter of 80 nm and are grown using selective epitaxy; a matrix of typically 10 x 10 vertically standing wires is used as channel in the transistor. The authors measure current saturation at V-ds = 0.15 V (V-g = 0 V), and a high mobility, compared to the previous nanowire transistors, is deduced.

Nyckelord: field-effect transistor (FET) InAs, nanowires, wrap gate

Denna post skapades 2007-03-08. Senast ändrad 2009-03-31.
CPL Pubid: 25786


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi (2006-2007)


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur