CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

[L]. GaN grown on sapphire, Si and GaN substrates by molecular beam epitaxy

Xinyu Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Aggerstam ; Sebastian Lourdudoss ; Thorvald Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Proceedings for 30th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe p. 213. (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2007-01-17.
CPL Pubid: 25784

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur