CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of Al/N flux ratio during nucleation layer growth on the structural properties of AlN grown on sapphire by molecular beam epitaxy

Fredrik Fälth (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Stefan Davidsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Xinyu Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thorvald Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
applied physics letters Vol. 87 (2005), p. 161901.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-17. Senast ändrad 2007-04-11.
CPL Pubid: 25778

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur