CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

[J]. Effect of AlN nucleation layer on the structural properties of bulk GaN grown on sapphire by molecular-beam epitaxy

Stefan Davidsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Fälth (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Xinyu Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thorvald Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Journal of applied physics Vol. 98 (2005), 1, p. 16109.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-17. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 25774

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur