CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of dislocation density on photoluminescence intensity of GaN

Fredrik Fälth (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Manjula Gurusinghe (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Xinyu Liu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thorvald Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; I.G. IVanov ; B. Monemar ; H.H. Yao ; S.C. Wang
Journal of crystal growth Vol. 278 (2005), p. 406.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-17. Senast ändrad 2009-09-23.
CPL Pubid: 25773

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur