CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes

Juanjuan Liu ; Wenwu Pan ; Xiaoyan Wu ; Chunfang Cao ; Yaoyao Li ; Xiren Chen ; Yanchao Zhang ; Lijuan Wang ; Jinyi Yan ; Dongliang Zhang ; yuxin song ; Jun Shao ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
AIP Advances (21583226). Vol. 7 (2017), 11, p. Article Number: 115006 .
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present electrically injected GaAs/GaAsBi single quantum well laser diodes (LDs) emitting at a record long wavelength of 1141 nm at room temperature grown by molecular beam epitaxy. The LDs have excellent device performances with internal quantum efficiency of 86%, internal loss of 10 cm-1 and transparency current density of 196 A/cm2. The LDs can operate under continuous-wave mode up to 273 K. The characteristic temperature are extracted to be 125 K in the temperature range of 77?150 K, and reduced to 90 K in the range of 150?273 K. The temperature coefficient of 0.3 nm/K is extracted in the temperature range of 77?273 K.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2017-12-18. Senast ändrad 2017-12-27.
CPL Pubid: 253887

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)