CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of switched mode LDMOS and GaN power amplifiers for optimal use in polar transmitter architectures

Hossein Mashad Nemati (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Ulf Gustavsson ; Rik Jos ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, MTT; Atlanta, GA; United States; 15 June 2008 through 20 June 2008 (0149645X). p. 1505-1508. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

In this paper, switched mode power amplifiers with different classes of operation and device technologies are characterized versus input power and output supply voltage. The results are used to identify optimal control schemes for use in polar transmitter architectures. Then the effects of different control schemes on the requirements for the power amplifier, and the envelope amplifier, as the main building blocks of this architecture, are investigated.

Nyckelord: GaN hemt; LDMOS; Polar transmitter; Power amplifiers

Denna post skapades 2017-12-06.
CPL Pubid: 253599


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur