CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermoelectric effects in graphene at high bias current and under microwave irradiation

Grigory Skoblin (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Jie Sun (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Avgust Yurgens (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Scientific Reports (2045-2322). Vol. 7 (2017),
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We use a split top gate to induce doping of opposite signs in different parts of a graphene field-effect transistor, thereby effectively forming a graphene thermocouple. The thermocouple is sensitive to the electronic temperature in graphene, which can be several hundred kelvin higher than the ambient one at sufficiently high bias current. Combined with the high thermoelectric power of graphene, this allows for i) simple measurements of the electronic temperature and ii) building thermoelectric radiation detectors. A simple prototype graphene thermoelectric detector shows a temperature-independent optical responsivity of around 400 V/W at 94 GHz at temperatures of 4-50 K.

Denna post skapades 2017-12-04. Senast ändrad 2017-12-13.
CPL Pubid: 253540


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik



Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Thermoelectric- and hot-electron effects in graphene devices