CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

1060 nm single-mode vertical-cavity surface-emitting laser operating at 50 Gbit/s data rate

Ewa Simpanen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Erik Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Emanuel P. Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; W. V. Sorin ; S. Mathai ; M. R. Tan
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 53 (2017), 13, p. 869-870.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

An energy efficient 1060 nm GaAs-based oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser designed for high-speed modulation and singlemode emission has been developed. A record data rate of 50 Gbit/ s at an energy dissipation of 100 fJ/ bit is demonstrated for a device with > 50 dB side-mode-suppression and 0.2 mA threshold current, making this laser a promising light source for long-reach optical interconnects.

Nyckelord: power dividers, resistors, compact dual-band five-way Wilkinson power divider, RF performance, two-section impedance transformers, isolation resistors, phase imbalances, magnitude imbalances, frequency 0, 915 GHz, frequency 2, 45 GHz



Denna post skapades 2017-08-16.
CPL Pubid: 251196

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur