CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design of an 845-nm GaAs Vertical-Cavity Silicon-Integrated Laser with an Intracavity Grating for Coupling to a SiN Waveguide Circuit

Sulakshna Kumari ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Emanuel P. Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jörgen Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Gunther Roelkens ; Roel Baets
IEEE Photonics Journal (1943-0655). Vol. 9 (2017), 4, p. 1504109.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A short-wavelength hybrid GaAs vertical-cavity silicon-integrated laser (VCSIL) with in-plane waveguide coupling has been designed and optimized using numerical simulations. A shallow etched silicon nitride (SiN) grating is placed inside the cavity of the hybrid vertical-cavity silicon-integrated laser to both set the polarization state of the resonant optical field and to enable output coupling to a SiN waveguide with high efficiency. The numerical simulations predict that for apertures of 4 and 6-μm oxide-confined VCSILs operating at 845-nm wavelength, a slope efficiency for the light coupled to the waveguide of 0.18 and 0.22 mW/mA is achievable, respectively, while maintaining a low threshold gain of 583 and 589 cm−1, respectively, for the lasing.

Nyckelord: Waveguide, gratings, silicon nanophotonics, semiconductor lasers

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2017-07-07. Senast ändrad 2017-07-27.
CPL Pubid: 250585


Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik


Nanovetenskap och nanoteknik

Chalmers infrastruktur