CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Large-Signal Modelling and Comparison of AlGaN/GaN HEMTs and SiC MESFETs

Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; D Schreuers ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Asia PAcific Microwave Conference, 2006, Yokohama, Japan p. 279-282. (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The Large Signal (LS) model for GaN and SiC FET devices was developed and evaluated with DC, S, and LS measurements. Special attention was paid to improve the management of harmonics and provide. a more physical treatment of the dispersion. The model was implemented in a commercial CAD tool and exhibit good overall accuracy.

Nyckelord: FET LS models



Denna post skapades 2007-01-08. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 25023