CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD

Mariusz Rudzinski ; Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; P Van Hal ; J Weyher ; Paul Hageman ; Kristina Dynefors (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Poul Larsen
Physica Status Solidi C Vol. 6 (2006), p. 2231-6.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-08. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 25021