CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Comparison of the DC and microwave performance of AlGaN/GaN HEMTs grown on SiC by MOCVD with Fe-doped or unintentionally doped GaN buffer layers

Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mariusz Rudzinski ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Paul Hageman ; Poul Larsen ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Röddle ; Rik Jos
IEEE Transactions on Electron Devices Vol. 53 (2006), 9, p. 2413-17.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-08. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 25019