CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Fabrication and characterization of field-plated buried-gate SiC MESFETs

Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joakim Nilsson ; Johan Ståhl ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Electron Device Letters, IEEE (0741-3106). Vol. 27 (2006), 7, p. 573-575.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Silicon carbide (SiC) MESFETs were fabricated using a standard SiC MESFET structure with the application of the "buried-channel" and field-plate (FP) techniques in the process. FPs combined with a buried-gate are shown to be favorable concerning output power density and power-added efficiency (PAE), due to higher breakdown voltage and decreased output conductance. A very high power density of 7.8 W/mm was measured on-wafer at 3 GHz for a two-finger 400-/spl mu/m gate periphery SiC MESFET. The PAE for this device was 70% at class AB bias. Two-tone measurements at 3 GHz /spl plusmn/ 100 kHz indicate an optimum FP length for high linearity operation.

Nyckelord: Schottky gate field effect transistors, microwave field effect transistors, silicon compounds, wide band gap semiconductors



Denna post skapades 2007-01-08. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 25002

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik

Chalmers infrastruktur