CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Single Event Upset Behavior of CMOS Static RAM Cells

Kjell Jeppson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Udo Lieneweg ; Martin G. Buehler
JPL Technical Report Server Vol. 1993 (1993),
[Artikel, övrig vetenskaplig]

An improved state-space analysis of the CMOS static RAM cell is presented. Introducing the concept of the dividing line, the critical charge for heavy-ion-induced upset of memory cells can be calculated considering symmetrical as well as asymmetrical capacitive loads. From the critical charge, the upset-rate per bit-day for static RAMs can be estimated.



Denna post skapades 2017-06-09. Senast ändrad 2017-06-22.
CPL Pubid: 249647

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Annan elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur