CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Optimum barrier thickness study for the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure barrier varactor diodes

T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 90 (2007), 1, p. 012108-3.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

This experimental study aims at finding the optimum barrier thickness in heterostructure barrier varactor (HBV) diodes to improve the diode efficiency especially for high-power frequency multiplier applications. The influence of barrier thickness on the destructive current leaking over and through the barrier is investigated for different biases and operating temperatures. The authors found that for an InP-based HBV, there is an optimum barrier thickness range between 10 to 14 nm which causes the lowest possible leakage current.

Nyckelord: indium compounds, gallium arsenide, III-V semiconductors, aluminium compounds, leakage currents, varactors



Denna post skapades 2007-03-08. Senast ändrad 2016-10-26.
CPL Pubid: 24892

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi (2006-2007)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Halvledarfysik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur