CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A W-band MMIC Resistive Mixer Based on Epitaxial Graphene FET

Omid Habibpour (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Zhongxia Simon He (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; W. Strupinski ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; T. Ciuk ; P. Ciepielewski ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Ieee Microwave and Wireless Components Letters (1531-1309). Vol. 27 (2017), 2, p. 168-170.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

This letter presents the design, fabrication and characterization of the first graphene based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) in microstrip technology operating in W-band. The circuit is a resistive mixer in a 250 nm graphene field effect transistor (G-FET) technology on a SiC substrate. A conversion loss of 18 dB is achieved which is limited by the available local oscillator (LO) power. The mixer exhibits a flat response over radio frequency (RF) range of 90-100 GHz. The RF bandwidth is also limited by the measurement setup.

Nyckelord: Epitaxial graphene, graphene FET, MMIC, resistive mixer, W-band, Engineering



Denna post skapades 2017-04-19.
CPL Pubid: 248891

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Nanoteknik

Chalmers infrastruktur