CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Noise Properties of YBCO Nanostructures

Edoardo Trabaldo (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Marco Arzeo (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Riccardo Arpaia (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Reza Baghdadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Eric Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
IEEE transactions on applied superconductivity (1051-8223). Vol. 27 (2017), 4,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Voltage noise measurements on close to optimally doped YBa2Cu3O7-delta nanostructures have been performed. The measured resistance noise at temperature T = 96 K (above critical temperature T-C = 85 K) shows a quadratic dependence on the bias current, e.g., the voltage power spectral density S-V alpha V-2. Moreover, the normalized voltage noise S-V/V-2 is inversely proportional to the device volume. This is a clear indication that the noise is the result of an ensemble of independent resistive fluctuators, evenly distributed within the sample volume. For our structures, we obtain a product S-V/V-2 x Vol. = const. approximate to 6 x 10-(33) m(3)/Hz resulting in a Hooge's parameter 3.4 x 10(-4), which is among the lowest reported in literature. At lower temperature, T = 2 K (well below TC) the total voltage fluctuations are given by the combined effect of critical current fluctuations and resistance fluctuations. For the critical current noise, we obtain a product S-I/IC2 x Vol. = const. approximate to 6x10(-32) m(3)/Hz. The larger value of the relative critical current noise is most probably due to the fact that the critical current is determined by edge effects whereas the resistance is given by the total volume of the device.

Nyckelord: HTS, noise, YBCO, flicker noise, nanostructure, resistance noise, critical current noise



Denna post skapades 2017-03-31.
CPL Pubid: 248734

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur