CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

RF-MEMS Tuned GaN HEMT based Cavity Oscillator for X-band

Mikael Hörberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Emanuelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per Ligander (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sz-Hau Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Microwave and Wireless Components Letters (15311309). Vol. 27 (2017), 1, p. 46-48.
[Artikel, övrig vetenskaplig]

This letter presents a radio frequency micro-electromechanical systems (RF-MEMS) tuned cavity oscillator for X-band. The active part of the oscillator is implemented in GaN-HEMT MMIC technology. The RF-MEMS-switches are realized on a quartz substrate that is surface mounted on a low loss PCB. The PCB is intruded in an aluminum cavity acting as an electrically moveable wall. For a three-row RF-MEMS setup, a tuning range of 5 % around an oscillation frequency of 10 GHz is demonstrated in measurements. The phase noise is as low as -140 dBc/Hz to -129 dBc/Hz at 100 kHz from the carrier, depending on the configuration of the RF-MEMS.

Nyckelord: Cavity; GaN HEMT; oscillator; phase noise; Radio frequency microelectromechanical systems (RF-MEMS)



Denna post skapades 2017-03-08. Senast ändrad 2017-03-31.
CPL Pubid: 248479

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Signalbehandling

Chalmers infrastruktur