CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A fast method of parameter extraction for MOS transistors

Peter R. Karlsson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Kjell Jeppson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik ; Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap)
European Solid State Device Research Conference ESSDERC Vol. 1990 (1990), 10-13 Sept. 1990,
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A fast method of parameter extraction using a limited number of data points is developed for the SPICE level 3 MOS transistor model. Analytical expressions or numerical equations that converge fast are used to calculate the parameters and all interactions between parameters are taken into account. Proper selection of data points ensures physically reasonable values for most extracted parameters.

Nyckelord: Parameter extraction, MOSFETs, Threshold voltage, Data mining, Differential equations, SPICE, Transistors, Intrusion detection, Solid modeling, Algorithm design and analysis



Denna post skapades 2017-01-29.
CPL Pubid: 247813

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur