CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Extraction of series-resistance-independent MOS transistor model parameters

Peter R. Karlsson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik) ; Kjell Jeppson (Institutionen för fasta tillståndets elektronik ; Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap)
IEEE Electron Device Letters (0741-3106). Vol. 13 (1992), 11, p. 581-583.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

It is shown by simulations and experiments how series-resistance-independent intrinsic SPICE level-3 MOS parameters can be extracted when the source and drain series resistance is extracted as a separate parameter. If this resistance is not extracted separately, not only will the mobility reduction factor depend on the series resistance but so will the maximum drift velocity, the saturation field factor, and the static feedback factor. External source and drain resistors have been used to investigate how these parameters depend on the series resistance.

Nyckelord: MOSFETs, SPICE, Data mining, Electron mobility, Feedback, Resistors, Transistors, Circuit simulation, Threshold voltage, Solid state circuits

Denna post skapades 2017-01-28.
CPL Pubid: 247811


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fasta tillståndets elektronik (1985-1998)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur