CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Unintentional writing of a FAMOS memory device during reading

Kjell Jeppson (Institutionen för elektronfysik III - Fasta tillståndets elektronfysik ; Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap) ; Christer Svensson (Institutionen för elektronfysik III - Fasta tillståndets elektronfysik)
Solid-State Electronics (0038-1101). Vol. 19 (1976), 6, p. 455-457.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A FAMOS cell may be unintentionally written during repeated reading. The temperature dependence of this failure process was studied and it is shown that the worst case for unintentional charging of a FAMOS device occurs at low temperatures. This is qualitatively explained by a simple model including the temperature dependence of preavalanche carrier multiplication and hot electron injection.



Denna post skapades 2017-01-28.
CPL Pubid: 247798

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för elektronfysik III - Fasta tillståndets elektronfysik (1963-1985)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur