CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

The effects of impurity redistribution of the subthreshold leakage current in CMOS n-channel transistors

Kjell Jeppson (Institutionen för elektronfysik III - Fasta tillståndets elektronfysik ; Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap) ; James Gates
Solid-State Electronics (0038-1101). Vol. 19 (1976), 1, p. 83-85.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A study of subthreshold leakage current in n-channel transistors on low threshold voltage CMOS circuits has been made. Redistribution of impurities at the silicon surface during thermal oxidation is shown to be the main cause of excess subthreshold leakage current. Processing techniques to minimize this leakage have been developed.



Denna post skapades 2017-01-28.
CPL Pubid: 247797

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för elektronfysik III - Fasta tillståndets elektronfysik (1963-1985)
Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur