CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of the channel width on the threshold voltage modulation in MOSFETs

Kjell Jeppson (Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap)
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 11 (1975), 14, p. 297-299.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The threshold voltage of an MOS field-effect transistor is modulated by the source-to-substrate reverse bias. In the letter, the theory for long- and short-channel transistors is extended to include the influence of the channel width. The result is an analytical expression for the threshold voltage as a function of geometry and bias that agrees well with experimental data.

Nyckelord: Field-effect transistors, MOSFET, channel width, threshold voltage modulation



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2017-01-27.
CPL Pubid: 247788

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik och nanovetenskap (1900-2003)

Ämnesområden

Nanovetenskap och nanoteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur