CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Wideband THz HEB mixers using HPCVD MgB2 thin films

Evgenii Novoselov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Naichuan M. Zhang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Sergey Cherednichenko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz (2162-2027). Vol. 2016-November (2016), p. Arti no 7758933.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present results of experimental study of the gain bandwidth (GBW) of MgB2 hot electron-bolometer (HEB) mixers at 0.1THz and 0.4THz. Antenna integrated 0.25-1.5um2 area devices were made from thin MgB2 films deposited with a custom made HPCVD system. Film as thin as 15-45nm had a Tc from 35K to 40K. The GBW was found to be independent on the bias conditions, the bath temperature, and the LO frequency. The maximum GBW of 6GHz was observed for 15nm thick HEBs. At an 0.7THz LO and a 23K bath temperature the receiver noise temperature of this mixer was 3000K (corrected for optical losses).



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-12-30. Senast ändrad 2017-02-22.
CPL Pubid: 246543

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)