CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

1060 nm VCSEL for up to 40 Gbit/s Data Transmission

Ewa Simpanen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Erik Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Emanuel P. Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Wayne Sorin ; Sagi Mathai ; Michael Tan
International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2016, Kobe; Japan 12-15 Sept. p. Article no 7765757. (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A GaAs-based 1060 nm VCSEL with strained InGaAs/GaAsP QWs, doped DBRs, a short optical cavity, and multiple oxide apertures is presented. Modulation up to 40 Gbit/s at 25°C and 30 Gbit/s at 85°C is demonstrated.

Nyckelord: Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), optical interconnects



Denna post skapades 2016-12-20. Senast ändrad 2017-03-27.
CPL Pubid: 246405