CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Current Sharing inside a High Power IGBT Module at the Negative Temperature Coefficient Operating Region

Panagiotis Asimakopoulos (Institutionen för energi och miljö, Elteknik) ; K. D. Papastergiou ; Torbjörn Thiringer (Institutionen för energi och miljö, Elteknik) ; Massimo Bongiorno (Institutionen för energi och miljö, Elteknik)
18th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2016 ECCE Europe, Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016 (2325-0313). (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This work investigates the current sharing effect of a high power Soft Punch Through IGBT module in the Negative Temperature Coefficient region. The unbalanced current sharing between two of the substrates is demonstrated for different current and temperature levels and its impact on the thermal stressing of the device is evaluated. The results indicate that the current asymmetry does not lead to a significant thermal stressing unbalance between the substrates.

Nyckelord: Thermal stress, IGBT, Test bench, Measurement, Accelerators

Denna post skapades 2016-12-06. Senast ändrad 2017-10-03.
CPL Pubid: 245916


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för energi och miljö, Elteknik (2005-2017)


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur