CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Integration of components in a 50 nm {InGaAs}-{InAlAs}-{InP} {HEMT} process with pseudomorphic $\rm{In}_{0.35}{Ga}_{0.35}{As}$ channel

Anders Mellberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Proc. 34th European Microwave Conf. p. 171-174. (2004)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-09-12. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 2459