CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A 185-215-GHz Subharmonic Resistive Graphene FET Integrated Mixer on Silicon

Michael Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Yaxin Zhang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (0018-9480). Vol. 65 (2017), 1, p. 165-172.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A 200-GHz integrated resistive subharmonic mixer based on a single chemical vapor deposition graphene field-effect transistor (G-FET) is demonstrated experimentally. This device has a gate length of 0.5 μm and a gate width of 2x40 μm. The G-FET channel is patterned into an array of bow-tie-shaped nanoconstrictions, resulting in the device impedance levels of ~50 Ω and the ON-OFF ratios of ≥4. The integrated mixer circuit is implemented in coplanar waveguide technology and realized on a 100-μm-thick highly resistive silicon substrate. The mixer conversion loss is measured to be 29 ± 2 dB across the 185-210-GHz band with 12.5-11.5 dBm of local oscillator (LO) pump power and >15-dB LO-RF isolation. The estimated 3-dB IF bandwidth is 15 GHz.

Nyckelord: Coplanar waveguide (CPW), field-effect transistors (FETs), graphene, harmonic balance, millimeter-wave integrated circuits, subharmonic resistive mixers



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-12-05. Senast ändrad 2017-04-04.
CPL Pubid: 245831

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)