CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic low-noise InP HEMTs: A source-drain distance study

Eunjung Cha (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Arsalan Pourkabirian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Joel Schleeh ; N. Wadefalk ; G. Moschetti ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 p. Article number 7528576. (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The scaling effect of the source-drain distance was investigated in order to improve the performance of low-noise InP HEMTs at cryogenic temperatures 4-15 K. The highest dc transconductance at an operating temperature of 4.8 K and low bias power was achieved at a source-drain distance of 1.4 mu m. The extracted HEMT minimum noise temperature was 0.9 K at 5.8 GHz for a 3-stage 4-8 GHz hybrid low-noise amplifier at 10 K.

Nyckelord: cryogenic operation, InP HEMT, low noise temperature



Denna post skapades 2016-11-14. Senast ändrad 2017-02-17.
CPL Pubid: 245118

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)