CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic low-noise InP HEMTs: A source-drain distance study

Eunjung Cha (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Arsalan Pourkabirian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Joel Schleeh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; N. Wadefalk ; G. Moschetti ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet ; GigaHertz Centrum) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 p. Article number 7528576. (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Nyckelord: cryogenic operation, InP HEMT, low noise temperature



Denna post skapades 2016-11-14.
CPL Pubid: 245118

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)