CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Carbon-doped GaN on SiC materials for low-memory-effect devices

J. T. Chen ; E. Janzén ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; M. Andersson ; O. Kordina
ECS Transactions; Symposium on Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 6 - PRiME 2016/230th ECS Meeting (1938-5862). Vol. 75 (2016), 12, p. 61-65.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

AlGaN/GaN on SiC HEMT structures suitable for high power, high frequency applications are demonstrated. The material manifests record breaking thermal management and electron mobility. Moreover, thanks to the fact that the buffer layer is doped with carbon, the memory effect of processed devices is very low making system design and manufacturing significantly easier and less expensive.

Denna post skapades 2016-11-08. Senast ändrad 2017-09-28.
CPL Pubid: 244937


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik



Chalmers infrastruktur