CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Fabrication of nanowire growth templates by forming pinholes in SiOx on Si

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Elham Fadaly (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet)
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

InAs nanowire growth is carried out on a thin grainy layer of SiOx on Si (111), utilizing the openings of pinholes in the SiOx layer by isotropic wet etching. SiOx layers with different thicknesses were deposited and etched down to different thicknesses, to investigate how the initial layer roughness and the etching depth influence the formation of pinholes and thereafter the NW growth.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-11-07.
CPL Pubid: 244850