CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Photoemission study of the valence band offset between LT-GaAs and (GaMn)As

Martin Adell (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; J. Sadowski
Applied Physics Letters Vol. 89 (2006), p. 172509.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-09.
CPL Pubid: 24433

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur (2005-2006)

Ämnesområden

Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Synchrotron light based spectroscopy of MBE-grown (GaMn)As structures