CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of GaAsBi capping layer on morphology of InAs quantum dots

L Wang ; W Pan ; X Wu ; F Zhang ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
7th International Workshop on Bismuth Containing Semiconductors, Shanghai, China, July 24th-27th, 2016 (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2016-10-19.
CPL Pubid: 243740

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur