CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Dipole formation and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy

W Pan ; L Zhu ; L Zhang ; Y Li ; P Wang ; X Wu ; F Zhang ; J Shao ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
7th International Workshop on Bismuth Containing Semiconductors, Shanghai, China, July 24th-27th, 2016 (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2016-10-19.
CPL Pubid: 243730

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur