CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition SiNx Passivated AlGaN/GaN HEMTs for Power Amplifier Application

Tongde Huang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Olle Axelsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Johan Bergsten (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sebastian Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2015 Asia-Pacific Microwave Conference (Apmc), Vols 1-3 (2015)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition (LPCVD) bilayer SiNx passivation scheme has been investigated and developed, which effectively suppress the current collapse in AlGaN/GaN HEMTs. Low current slump is very helpful for microwave power amplifier application. Compared to in-situ SiNx passivations by metal-organic-chemical-vapor-deposition (MOCVD) and ex-situ SiNx passivations by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD), the LPCVD SiNx exhibits the quickest recovery time from double-sweep IV curves. From pulsed IV and load-pull measurements, LPCVD SiNx is also confirmed to deliver superior large signal performance. The bilayer LPCVD SiNx passivated device shows negligible current slump (<6%). These characteristics are directly reflected in the large signal operation, where HEMTs with bilayer LPCVD SiNx have highest output power (2.9 W/mm at 3 GHz).

Nyckelord: AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, current collapse, passivation, Trapping



Denna post skapades 2016-10-07. Senast ändrad 2016-12-20.
CPL Pubid: 243074

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Telekommunikation

Chalmers infrastruktur