CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of InAlAs/InGaAs HFETs with high indium content in the channel grown on GaAs substrate

Niklas Rorsman (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Christer Karlsson (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Shumin Wang (Fysiska institutionen) ; Thorvald Andersson (Institutionen för fysik)
23rd European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 1993 (19308876). p. 765-768. (1993)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

InAlAs/InGaAs HFETs having very high indium content (80 and 100%) in the channel have been fabricated on GaAs and electrically characterized. The extrinsic transconductance were 310 mS/mm (560 mS/mm at 77 K), and the saturation current were 700 mA/mm (600 mA/mm at 77 K) for an InAs channel. The value of fT and fmaxfor this device were measured to be 80 GHz and 50 GHz, respectively. The In0.8Ga 0.2As channel material had extrinsic transconductance of 320 mS/mm (470 mS/mm at 77 K), and the saturation current were 520 mA/mm (440 mA/mm at 77K). The value of fT and fmaxfor this device were measured to be 80 GHz and 50 GHz, respectively



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-09-12.
CPL Pubid: 241676

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)
Fysiska institutionen (1964-2000)
Institutionen för fysik (1900-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur