CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

F-band resistive mixer based on heterostructure field effect transistor technology

Iltcho Angelov (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Christer Karlsson (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Robert M weikle (Institutionen för mikrovågsteknik)
Proceedings of the 1993 IEEE MTT-S International Symposium on Circuits and Systems (0149645X). Vol. 2 (1993), p. 787-790.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A fundamentally pumped millimeter wave resistive mixer based on an HFET technology working at F-band (90-140 GHz) is described for the first time. Nonlinear simulations have been performed for this mixer based on an specially designed double δ-doped pseudomorphic HFET device developed for this application. A minimum conversion loss between 12 to 13 dB was measured with the RF fixed at different frequencies between 108 to 114 GHz at an RF power of -13 dBm. Both theoretical and experimental results are presented in this paper.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-09-12.
CPL Pubid: 241675

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur