CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A new empirical nonlinear model for HEMT-devices

Iltcho Angelov (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikrovågsteknik)
1992 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (0149645X). Vol. 3 (1992), p. 1583-1586.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A novel signal model for HEMTs (high-electron-mobility transistors) capable of modeling the current-voltage characteristic and its derivatives, including the characteristic transconductance peak and gate-source and gate-drain capacitances, is described. Model parameter extraction is straightforward and is performed for a submicron gate-length ∂-doped pseudomorphic HEMT. The model has been used to predict the DC- and S-parameters of the devices and different nonlinear circuits such as mixers and multipliers with very high accuracy.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-09-12.
CPL Pubid: 241667

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik

Chalmers infrastruktur