CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Resistive HEMT-mixer with very low LO-power requirements and low intermodulation

Herbert Zirath (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikrovågsteknik)
European Microwave Conference Vol. 2 (1991), p. 1469-1474.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The channel resistance of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) is used as a time variable resistor to accomplish frequency mixing. An X-band image rejected mixer was constructed and pseudomorphic HEMTs were fabricated in order to investigate the performance. Acceptable conversion is obtained at very low LO-power. The experimental -1 dB compression point referred to the output is found to be approximately 3 dB lower than the LO-power.

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-09-12. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 241666


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)


Informations- och kommunikationsteknik
Elektroteknik och elektronik
Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik

Chalmers infrastruktur