CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Hot spot formation in electron-doped PCCO nanobridges

Sophie Charpentier (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Riccardo Arpaia (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; J. Gaudet ; D. Matte ; Reza Baghdadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Tomas Löfwander (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Tillämpad kvantfysik) ; D. Golubev ; P. Fournier ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (1098-0121). Vol. 94 (2016), 6,
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

© 2016 American Physical Society.We have investigated the transport properties of optimally doped Pr2-xCexCuO4-δ (PCCO) nanobridges with width down to 100 nm. The critical current density of the nanobridges approaches the Ginzburg-Landau theoretical limit, which demonstrates nanostructures with properties close to the as-grown films. The current voltage characteristics are hysteretic with a sharp voltage switch, of the order of a few millivolts, that we interpret with the occurrence of a hot spot formation. The values of the retrapping current and the voltage switch obtained by modeling the heat transport in the nanobridges are very close to the experimental ones. This feature, together with the extremely short recombination times, make PCCO nanostructures attractive candidates for ultrafast single photon detectors.


Article Number: 060503



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-09-09. Senast ändrad 2016-09-28.
CPL Pubid: 241553

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)