CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Electron capture cross sections of InAs/GaAs quantum dots

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; M. Kaniewska ; Ying Fu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Applied Physics Letter (0003-6951). Vol. 85 (2004), 14, p. 2908-2910.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The thermal emission rates of electrons from InAs/GaAs quantum dots were measured, to found the capture cross sections in the extremely high region of 10-11-10-10 cm2. An additional method based on a static measurement at thermal equilibrium was used where the Fermi level was positioned at the free energy level of the quantum dot s shell. A Schottky diode with a plane of QDs grown in its depletion region and back-biased in such a way that the Fermi level coincides with the electron energy level. The Fermi level passes the lowest energy level of the QD, at the voltage marked by Vp in the graphs.



Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2011-03-09.
CPL Pubid: 2397

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur