CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Analysis of the electrono traps at the 4H-SiC/SiO2 interface using combined CV/thermally stimulated current measurements

Tamara Rudenko ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; I. Osiyuk ; I Tyagulski
Microelectronics Engineering Vol. 72 (2004), p. 213.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-12-05.
CPL Pubid: 23860

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur