CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High field effect electron mobility in Si face 4H-SiC MOSFET

Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Electronics Letters Vol. 40 (2004), p. 508-510.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-12-05. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 23857

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur