CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of Schottky layer thickness on DC, RF and noise of 70-nm gate length InP HEMTs

Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Malin Borg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 386-388 p. 329-331. (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-12-01.
CPL Pubid: 23748