CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A 200 GHz CVD Graphene FET Based Resistive Subharmonic Mixer

Yaxin Zhang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Michael Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik ) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Terahertz- och millimetervågsteknik )
2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2016, San Francisco, 22-27 May 2016 (0149-645X). p. 1-4. (2016)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on the design and characterization of a 200 GHz resistive subharmonic mixer based on a single, multichannel CVD graphene field effect transistor (G-FET). The device has gate length 0.5 µm and width 2x40 µm. The integrated mixer circuit is implemented in coplanar waveguide (CPW) technology and realized on a 100 µm thick high resistive silicon substrate. The measured mixer conversion loss (CL) is 34 +- 3 dB across 190-210 GHz band with 10 dBm local oscillator (LO) pumping power and the overall minimum CL gives 31.5 dB at 190 GHz.

Nyckelord: Graphene, FETs, subharmonic resistive mixers, millimeter wave integrated circuits, coplanar waveguide



Denna post skapades 2016-05-30. Senast ändrad 2016-08-15.
CPL Pubid: 237057

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)