CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Josephson Coupling in Junctions Made of Monolayer Graphene Grown on SiC

B. Jouault ; Sophie Charpentier (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; D. Massarotti ; A. Michon ; M. Paillet ; J. R. Huntzinger ; A. Tiberj ; A. A. Zahab ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; P. Lucignano ; A. Tagliacozzo ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; F. Tafuri
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism (1557-1939). Vol. 29 (2016), 5, p. 1145-1150.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Chemical vapor deposition has proved to be successful in producing graphene samples on silicon carbide (SiC) homogeneous at the centimeter scale in terms of Hall conductance quantization. Here, we report on the realization of co-planar diffusive Al/ monolayer graphene/ Al junctions on the same graphene sheet, with separations between the electrodes down to 200 nm. Robust Josephson coupling has been measured for separations not larger than 300 nm. Transport properties are reproducible on different junctions and indicate that graphene on SiC substrates is a concrete candidate to provide scalability of hybrid Josephson graphene/superconductor devices.

Nyckelord: Graphene, Josephson effect, Silicon carbide

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2016-05-27.
CPL Pubid: 237007


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)