CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

VO2 TES as Room Temperature THz Detectors

Biddut Banik (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi) ; Harald Merkel (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi)
17th International Symposium on Space THz Technology – ISSTT 2006 (2006)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Abstract— VOx materials hold very high potential to be used as room temperature bolometer. A brief review on room temperature bolometers and VOx characteristics is presented. The hysteretic metal-insulator transition behavior of a VOx microbolometer has been investigated. An algebraic hysteresis model has been used to model the resistance-temperature characteristic of the bolometer. The magnetic limiting loop proximity (L2 P) hysteresis theory is modified to represent the VOx major and minor hysteresis loops. The responsivity of the bolometer is also calculated. Loop accommodation process is explained. Nonsymmetrical hysteretic behavior has also been discussed.

Nyckelord: Bolometers, hysteresis, vanadium oxide.



Denna post skapades 2007-03-08.
CPL Pubid: 23509

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågs- och terahertzteknologi (2006-2007)

Ämnesområden

Elektronisk mät- och apparatteknik
Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik

Chalmers infrastruktur