CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic Low Noise Amplifiers in an InP HEMT MMIC Process

Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Arsalan Pourkabirian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joel Schleeh ; Niklas Wadefalk ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Göran Alestig (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; John Halonen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Bengt Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Asia-Pacific Microwave Conference, APMC 2015, Nanjing, China, 6-9 December 2015 Vol. 1 (2015), p. Art. no. 7411746.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

An indium phosphide HEMT MMIC process was developed for ultralow noise amplifiers (LNAs) at cryogenic temperatures. The process was run on 4” wafers and utilized 130 nm gate-length HEMTs. Several wide band LNAs were made in a frequency range between 1 GHz and 100 GHz. A Ka band LNA had a minimum noise temperature of 10 K and a gain of 35 dB.



Denna post skapades 2016-01-22. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 231145

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)